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Enhanced vertical transport in p-type AlGaN∕GaN superlattices
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Detection of halide ions with AlGaN∕GaN high electron mobility transistors
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Surface polarity dependence of Mg doping in GaN grown by molecular-beam epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Minority carrier transport in p-type Zn0.9Mg0.1O doped with phosphorus
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Avalanche breakdown and breakdown luminescence of AlGaN multiquantum wells
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Surface passivation of AlGaN/GaN HEMTs using MBE-grown MgO or Sc2O3
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Effect of gate length on DC performance of AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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