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1
Capacitance–voltage characteristics of MOS capacitors with Ge nanocrystals embedded in ZrO 2 gate material
von
Lee, Hye-Ryoung
,
Choi, Samjong
,
Cho, Kyoungah
,
Kim, Sangsig
Veröffentlicht in
Thin solid films
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Capacitance–voltage characterization of Ge-nanocrystal-embedded MOS capacitors with a capping Al 2 O 3 layer
von
Choi, Samjong
,
Park, Byoungjun
,
Kim, Hyunsuk
,
Cho, Kyoungah
,
Kim, Sangsig
Veröffentlicht in
Semiconductor science and technology
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Capacitance–voltage characterization of Ge-nanocrystal-embedded MOS capacitors with a capping Al2O3 layer
von
Choi, Samjong
,
Park, Byoungjun
,
Kim, Hyunsuk
,
Cho, Kyoungah
,
Kim, Sangsig
Veröffentlicht in
Semiconductor science and technology
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MEMORY DEVICE
von
Choi, Samjong
,
Kim, Yehwan
,
Baek, Gayeong
,
Im, Hwon
,
Kim, Yeonsook
,
Kim, Euido
,
Kim, Cheongjun
,
Lee, Munkeun
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Patent
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5
THINNER COMPOSITION AND METHOD OF TREATING SURFACE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE BY USING THE SAME
von
Choi, Samjong
,
Kim, Minki
,
Yoo, Seungryul
,
Kim, Jaehyun
,
Jung, Miyeon
,
Lee, Heekyung
,
Suh, Ahram
,
Kwon, Taehui
,
Kweon, Ohhwan
,
Shin, Sunggun
,
Kang, Yool
,
Kim, Dongjun
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Patent
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6
Semiconductor wafers including indications of crystal orientation and methods of forming the same
von
Lee Dongjun
,
Koo Tae-Hyoung
,
Choi Samjong
,
Ko Yongsun
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Patent
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7
Semiconductor Wafers Including Indications of Crystal Orientation and Methods of Forming the Same
von
KOO TAE-HYOUNG
,
KO YONGSUN
,
CHOI SAMJONG
,
LEE DONGJUN
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Patent
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8
Capacitance-voltage characteristics of MOS capacitors with Ge anaocrystals embedded in HfO2 gate material
von
Hye-Ryoung Lee
,
Samjong Choi
,
Kyoungah Cho
,
Sangsig Kim
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Tagungsbericht
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9
METHOD FOR MANUFACTURING WAFER AND WAFER MANUFACTURED BY THE METHOD
von
KOO TAE-HYOUNG
,
KO YONGSUN
,
CHOI SAMJONG
,
LEE DONGJUN
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Patent
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Ieee Power & Energy Library
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