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1
Diode-Type NAND Flash Memory Cell String Having Super-Steep Switching Slope Based on Positive Feedback
von
Joe, Sung-Min
,
Kang, Ho-Jung
,
Choi, Nagyong
,
Kang, Myounggon
,
Park, Byung-Gook
,
Lee, Jong-Ho
Veröffentlicht in
IEEE transactions on electron devices
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2
Analysis of Clockwise and Counter-Clockwise Hysteresis Characteristics in 3-D NAND Flash Memory Cells
von
Kang, Ho-Jung
,
Choi, Nagyong
,
Bae, Jong-Ho
,
Park, Byung-Gook
,
Lee, Jong-Ho
Veröffentlicht in
IEEE electron device letters
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Low-Power and High-Density Neuron Device for Simultaneous Processing of Excitatory and Inhibitory Signals in Neuromorphic Systems
von
Woo, Sung Yun
,
Kwon, Dongseok
,
Choi, Nagyong
,
Kang, Won-Mook
,
Seo, Young-Tak
,
Park, Min-Kyu
,
Bae, Jong-Ho
,
Park, Byung-Gook
,
Lee, Jong-Ho
Veröffentlicht in
IEEE access
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4
Analysis of Random Telegraph Noise Characteristics with Two Different Cell States in 3-D NAND Flash Memory
von
Choi, Nagyong
,
Kang, Ho-Jung
,
Lee, Jong-Ho
Veröffentlicht in
Journal of semiconductor technology and science
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5
Effect of Nitrogen Content in Tunneling Dielectric on Cell Properties of 3-D NAND Flash Cells
von
Choi, Nagyong
,
Kang, Ho-Jung
,
Bae, Jong-Ho
,
Park, Byung-Gook
,
Lee, Jong-Ho
Veröffentlicht in
IEEE electron device letters
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SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME
von
KIM JIWOONG
,
KIM SAMKI
,
BAIK SEUNG JAE
,
KIM NAMBIN
,
LEE JAEDUK
,
KIM TAE HUN
,
CHOI NAGYONG
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