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560 nm InGaN micro-LEDs on low-defect-density and scalable (20-21) semipolar GaN on patterned sapphire substrates
von
Khoury, Michel
,
Li, Hongjian
,
Bonef, Bastien
,
Mates, Tom
,
Wu, Feng
,
Li, Panpan
,
Wong, Matthew S.
,
Zhang, Haojun
,
Song, Jie
,
Choi, Joown
,
Speck, James S.
,
Nakamura, Shuji
,
DenBaars, Steven P.
Veröffentlicht in
Optics express
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1400 : 2025
1400
2025
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