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Origin of forward leakage current in GaN-based light-emitting devices
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Wet chemical cleaning process of GaAs substrate for ready-to-use
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Lattice deformation of ZnO films with high nitrogen concentration
Veröffentlicht in Applied surface science
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Retraction: eliciting broadly neutralizing antibodies against HIV-1 that target gp41 MPER
Veröffentlicht in Retrovirology
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The roles of low-temperature buffer layer for thick GaN growth on sapphire
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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