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    Dopant-Segregated Schottky Silicon-Nanowire MOSFETs With Gate-All-Around Channels

    Dopant-Segregated Schottky Silicon-Nanowire MOSFETs With Gate-All-Around Channels von Chin, Y.K., Pey, K.-L., Singh, N., Guo-Qiang Lo, Khing Hong Tan, Chio-Yin Ong, Tan, L.H.

    Veröffentlicht in IEEE electron device letters

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