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A Statistical Model of Erratic Behaviors in Flash Memory Arrays
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Erratic Bits in Flash Memories under Fowler-Nordheim Programming
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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A New Analytical Model of the Erasing Operation in Phase-Change Memories
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Overerase phenomena: an insight into flash memory reliability
Veröffentlicht in Proceedings of the IEEE
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Radiation effects on floating-gate memory cells
Veröffentlicht in IEEE transactions on nuclear science
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Reliability of erasing operation in NOR-Flash memories
Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
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Constant charge erasing scheme for flash memories
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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