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On the TCAD Based Design Diagnostic Study of 4H-SiC Based IGBTs
Veröffentlicht in Materials science forum
VolltextArtikel -
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On the Assessment of Temperature Dependence of 10 - 20 kV 4H-SiC IGBTs Using TCAD
Veröffentlicht in Materials science forum
VolltextArtikel -
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