A 90nm high volume manufacturing logic technology featuring Cu metallization and CDO low-k ILD interconnects on 300 mm wafers von Jan, C.H., Anand, N., Allen, C., Bielefeld, J., Buehler, M., Chikamane, V., Fischer, K., Jain, K., Jeong, J., Klopcic, S., Marieb, T., Miner, B., Nguyen, P., Schmitz, A., Nashner, M., Scherban, T., Schroeder, B., Ward, C., Wu, R., Zawadzki, K., Thompson, S., Bohr, M.

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90 nm generation, 300 mm wafer low k ILD/Cu interconnect technology von Jan, C.-H., Bielefeld, J., Buehler, M., Chikamane, V., Fischer, K., Hepburn, T., Jain, A., Jeong, J., Kielty, T., Kook, S., Marieb, T., Miner, B., Nguyen, P., Schmitz, A., Nashner, M., Scherban, T., Schroeder, B., Wang, P.-H., Wu, R., Xu, J., Zawadzki, K., Thompson, S., Bohr, M.

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