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    Fluorine-plasma surface treatment for gate forward leakage current reduction in AIGaN/GaN HEMTs

    Fluorine-plasma surface treatment for gate forward leakage current reduction in AIGaN/GaN HEMTs von Chen Wanjun Zhang Jing Zhang Bo Chen Kevin Jing

    Veröffentlicht in 半导体学报

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    Investigation of device geometry- and temperature-dependent characteristics of AlGaN GaN lateral field-effect rectifier

    Investigation of device geometry- and temperature-dependent characteristics of AlGaN GaN lateral field-effect rectifier von Chen, Wanjun, Zhang, Jing, Wang, Zhigang, Wei, Jin, Zhang, Bo, Chen, Kevin J


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    Fluorine-plasma surface treatment for gate forward leakage current reduction in AlGaN/GaN HEMTs

    Fluorine-plasma surface treatment for gate forward leakage current reduction in AlGaN/GaN HEMTs von Chen, Wanjun, Zhang, Jing, Zhang, Bo, Chen, Kevin Jing

    Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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