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The role of the mercury-Si Schottky-barrier height in [psi]-MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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The role of the Mercury-Si Schottky-barrier height in [psi]-MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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The role of the mercury-Si Schottky-barrier height in Ψ-MOSFETS
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Bipolar Microwave Linear Power Transistor Design
Veröffentlicht in IEEE transactions on microwave theory and techniques
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Barrier model for carrier transport at weakly inverted Si surfaces
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Contributors, May 1979
Veröffentlicht in IEEE transactions on microwave theory and techniques
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Comparison of line-scanned and point-scanned dual-axis confocal microscope performance
Veröffentlicht in Optics letters
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