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In0.18Al0.82N/AlN/GaN MIS-HEMT on Si with Schottky-drain contact
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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The demonstration of a D-SMT stressor on Ge planer n-MOSFETs
Veröffentlicht in AIP advances
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Energy partitioning over a semi‐arid shrubland in northern China
Veröffentlicht in Hydrological processes
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