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10-nm channel length pentacene transistors
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Nitride-based LEDs with p-InGaN capping layer
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Rubber modeling using uniaxial test data
Veröffentlicht in Journal of applied polymer science
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AlGaN/GaN Schottky Barrier UV Photodetectors With a GaN Sandwich Layer
Veröffentlicht in IEEE sensors journal
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