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The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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SiGe derivatization by spontaneous reduction of aryl diazonium salts
Veröffentlicht in Applied surface science
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Characterization of Plasma Etching Process Damage in HgCdTe
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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H atom surface loss kinetics in pulsed inductively coupled plasmas
Veröffentlicht in Plasma sources science & technology
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Quantitative Auger Electron Spectroscopic Analysis of Hg1−xCdxTe
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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Ion energy distributions in a pulsed plasma doping system
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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