Enabling SOI-based assembly technology for three-dimensional (3d) integrated circuits (ICs) von Topol, A.W., La Tulipe, D.C., Shi, L., Alam, S.M., Frank, D.J., Steen, S.E., Vichiconti, J., Posillico, D., Cobb, M., Medd, S., Patel, J., Goma, S., DiMilia, D., Robson, M.T., Duch, E., Farinelli, M., Wang, C., Conti, R.A., Canaperi, D.M., Deligianni, L., Kumar, A., Kwietniak, K.T., D'Emic, C., Ott, J., Young, A.M., Guarini, K.W., Ieong, M.

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Aggressively scaled (0.143 /spl mu/m/sup 2/) 6T-SRAM cell for the 32 nm node and beyond von Fried, D.M., Hergenrother, J.M., Topol, A.W., Chang, L., Sekaric, L., Sleight, J.W., McNab, S.J., Newbury, J., Steen, S.E., Gibson, G., Zhang, Y., Fuller, N.C.M., Bucchignano, J., Lavoie, C., Cabral Jr, C., Canaperi, D., Dokumaci, O., Frank, D.J., Duch, E.A., Babich, I., Wong, K., Ott, J.A., Adams, C.D., Dalton, T.J., Nunes, R., Medeiros, D.R., Viswanathan, R., Ketchen, M., Ieong, M., Haensch, W., Guarini, K.W.

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