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Nitride-based concentrator solar cells grown on Si substrates
Veröffentlicht in Solar energy materials and solar cells
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Composition dependent Raman scattering of ZnSe1−xOx
Veröffentlicht in Solid state communications
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Device characteristics of InAlSb/InAs and InAlSb/InAsSb HFETs
Veröffentlicht in Electronics letters
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MgO /p- GaN enhancement mode metal-oxide semiconductor field-effect transistors
Veröffentlicht in Applied physics letters
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E-beam-evaporated Al2O3 for InAs/AlSb metal-oxide-semiconductor HEMT development
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Vertical and lateral GaN rectifiers on free-standing GaN substrates
Veröffentlicht in Applied physics letters
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