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A simulation study on a novel trench SJIGBT
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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A novel optimization design for 3.3 kV injection-enhanced gate transistor
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
VolltextArtikel -
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SPT + -IGBT characteristics and optimization
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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A simulation study on a novel trench SJ IGBT
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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