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Bulk n-channel MOSFETs with buried stressor at the 28 nm process node
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Buried SiGe as a performance booster in n-channel FDSOI MOSFETs
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Atomic layer deposition of CeO2/HfO2 gate dielectrics on Ge substrate
Veröffentlicht in Applied surface science
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