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Investigations on 4H-SiC Low Voltage nMOSFETs with Thin Thermal SiO2/ Deposited Oxide Gate Dielectric
von
Lee, Brian
,
Park, Kyeong Seok
,
Kim, Ki Min
,
Choi, Doo Jin
,
Cho, Kevin Kyu Heon
Veröffentlicht in
Key engineering materials
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MOSFET device with undulating channel
von
Lee, Bongyong
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Choi, Doojin
,
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Park, Kyeongseok
,
Kim, Ki Min
,
Neyer, Thomas
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MOSFET DEVICE WITH UNDULATING CHANNEL
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CHO, Kevin Kyuheon
,
NEYER, Thomas
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KIM, Ki Min
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LEE, Bongyong
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PARK, Kyeongseok
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CHOI, Doojin
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POWER DEVICE WITH GRADED CHANNEL
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VICTORY, James Joseph
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NEYER, Thomas
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CHOI, Doojin
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,
Choi, Doojin
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Park, Kyeongseok
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Kim, Ki Min
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Neyer, Thomas
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MOSFET DEVICE WITH UNDULATING CHANNEL
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Leistungsvorrichtung mit abgestuftem Kanal
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POWER DEVICE WITH GRADED CHANNEL
von
CHO KEVIN-KYUHEON
,
VICTORY JAMES JOSEPH
,
CHOI DOO-JIN
,
LEE BONG-YONG
,
NEYER THOMAS
,
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