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1
Gate Bias Dependence of Complex Random Telegraph Noise Behavior in 65-nm NOR Flash Memory
von
Yang, Xiaonan
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Zheng, Zhiwei
,
Wang, Yan
,
Huo, Zongliang
,
Jin, Lei
,
Jiang, Dandan
,
Wang, Zhongyong
,
Chiu, Shengfen
,
Wu, Hanming
,
Liu, Ming
Veröffentlicht in
IEEE electron device letters
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Flash memory having water vapor induced air gaps and fabricating method thereof
von
Chen, Liang
,
Chiu, Shengfen
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STRUCTURE AND METHOD FOR MEMORY CELL ARRAY
von
CHIU, Shengfen
,
CAO, Heng
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Semiconductor memory having reduced interference between bit lines and word lines
von
Han, Liang
,
Chen, Liang
,
Chiu, Shengfen
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5
STRUCTURE AND METHOD FOR MEMORY CELL ARRAY
von
CHIU, Shengfen
,
CAO, Heng
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Memory cell structures
von
Cao Heng
,
Chiu Shengfen
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FLASH MEMORY AND FABRICATING METHOD THEREOF
von
CHEN LIANG
,
CHIU SHENGFEN
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NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
von
ZHANG JINSHUANG
,
CHIU SHENGFEN
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SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING REDUCED INTERFERENCE BETWEEN BIT LINES AND WORD LINES
von
Han, Liang
,
Chen, Liang
,
Chiu, Shengfen
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10
CHANNEL STRUCTURE OF BOTTOM SELECT TRANSISTOR FOR 3D-NAND STRING
von
CHIU, Shengfen
,
LI, Shanrong
,
CHI, Min-Hwa
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Manufacturing method of semiconductor device, and electronic device
von
SHENGFEN CHIU
,
JINSHUANG ZHANG
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12
P-TYPE MOS TRANSISTOR, METHOD OF FORMING THE SAME AND METHOD OF OPTIMIZING THRESHOLD VOLTAGE THEREOF
von
ZHUANG XIAOHUI
,
CHIU SHENGFEN
,
SUN PENG
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