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High detectivity Pb0.8Sn0.2Te-PbSe0.08Te0.92 heterostructure photodiodes
Veröffentlicht in Infrared physics
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A new method for growing thin layers of solid solutions between IV-VI compounds
Veröffentlicht in Inorganic materials
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Photoelectric properties of Pb1?x?y Sn x Ge y Te:In epitaxial films
Veröffentlicht in Applied Physics A Solids and Surfaces
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Veröffentlicht in Infrared physics
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High sensitivity photoresistors based on homogeneous Pb1−x−ySnxGeyTe:In epitaxial films
Veröffentlicht in Infrared physics
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Veröffentlicht in Infrared physics
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