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256 Gb 3 b/Cell V-nand Flash Memory With 48 Stacked WL Layers
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Admittance Measurements on OFET Channel and Its Modeling With R- C Network
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Nanoscale Multi-Line Patterning Using Sidewall Structure
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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