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A Ku band internally matched high power GaN HEMT amplifier with over 30% of PAE
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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LARGE TIME BEHAVIOR OF A THIRD GRADE FLUID SYSTEM
Veröffentlicht in Acta mathematica scientia
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A Ku-band 3.4 W/mm power AlGaN/GaN HEMT on a sapphire substrate
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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Gate-structure optimization for high frequency power AlGaN/GaN HEMTs
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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A Ku-band high power density AlGaN/GaN HEMT monolithic power amplifier
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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Improvements to the extraction of an AlGaN/GaN HEMT small-signal model
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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An aluminum nitride photoconductor for X-ray detection
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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