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Prolonged 500°C Operation of 100+ Transistor Silicon Carbide Integrated Circuits
Veröffentlicht in Materials science forum
VolltextArtikel -
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Prolonged 500 °C Operation of 6H-SiC JFET Integrated Circuitry
Veröffentlicht in Materials science forum
VolltextArtikel -
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4H-SiC JFET Multilayer Integrated Circuit Technologies Tested up to 1000 K
Veröffentlicht in ECS transactions
VolltextArtikel -
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Prolonged 500 deg C operation of 6H-SiC JFET integrated circuitry
Veröffentlicht in Materials science forum
VolltextArtikel -
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