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    Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor

    Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor von Hubáček, T., Hospodková, A., Kuldová, K., Slavická Zíková, M., Pangrác, J., Čížek, J., Liedke, M.O., Butterilng, M., Wagner, A., Hubík, P., Hulicius, E.

    Veröffentlicht in Journal of crystal growth

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