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Polysilicon TFT circuit design and performance
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Design tradeoffs between surface and buried-channel FET's
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Ion response to plasma excitation frequency
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A simpler 100-V polysilicon TFT with improved turn-on characteristics
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A CMOS Structure with high latchup holding voltage
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Power consumption and form drag of regular and fractal‐shaped turbines in a stirred tank
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Reflexive Visual Orienting in Response to the Social Attention of Others
Veröffentlicht in Visual cognition
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