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AlGaN/GaN Ka-Band 5-W MMIC Amplifier
Veröffentlicht in IEEE transactions on microwave theory and techniques
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Schottky barrier engineering in III–V nitrides via the piezoelectric effect
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Ni and Ti Schottky barriers on n-AlGaN grown on SiC substrates
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Effect of hydrogen on the indium incorporation in InGaN epitaxial films
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Elastic-Plastic Model of Pinned Beams Subjected to Impulsive Loading
Veröffentlicht in Journal of engineering mechanics
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Growth and characterization of AlInGaN quaternary alloys
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Crystallographic wet chemical etching of p-type GaN
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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Laterally engineered field-plate GaN HEMTs for millimeter-wave applications
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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Cyclic behaviour of partly plastic pinned circular tubes: I. Analytical model
Veröffentlicht in Thin-walled structures
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Stress relaxation in tungsten films by ion irradiation
Veröffentlicht in Applied physics letters
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