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Deep-level spectroscopy in high-resistivity materials
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Effect of growth parameters on the properties of GaN : Zn epilayers
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Some characteristics of highly N-doped VPE grown GaAs epilayers
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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Luminescence of AlxGa1− xAs grown by MOVPE
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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GaN electroluminescent devices: Preparation and studies
Veröffentlicht in Journal of luminescence
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Growth anisotropy in the GaN/Al2O3 system
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Gallium nitride emitting devices preparation and properties
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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Photocapacitance studies in high-purity GaAs
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
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Defects in gallium arsenide grown from solution under microgravity conditions
Veröffentlicht in Physica B + C
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Luminescence of Al sub x Ga sub 1--x As Grown by MOVPE
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Growth anisotropy in the GaN/Al 2O 3 system
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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