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Luminescence in highly conductive n -type ZnSe
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Selective MOCVD epitaxy for optoelectronic devices
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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A Schottky-barrier-delineated stripe structure for a GaInAsP-InP cw Laser
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Extremely low threshold butt-jointed 1.5 μm DBR lasers
Veröffentlicht in Japanese journal of applied physics
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Low-current proton-bombarded (GaAl)As double-heterostructure lasers
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Extremely Low Threshold Butt-Jointed 1.5 µm DBR Lasers
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Multi-quantum well lasers for telecommunications
Veröffentlicht in IEEE communications magazine
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