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A 10 dBm Output Power D-Band Power Source With 5 dB Conversion Gain in BiCMOS 55nm
von
Bossuet, Alice
,
Quemerais, Thomas
,
Gaquiere, Christophe
,
Lauga-Larroze, Estelle
,
Fournier, Jean-Michel
,
Lepilliet, Sylvie
,
Gloria, Daniel
Veröffentlicht in
IEEE microwave and wireless components letters
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Artikel
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Intégration sur silicium de solutions complètes de caractérisation en puissance de transistor HBT en technologie BiCMOS 55 nm à des fréquences au-delà de 130 GHz
von
Bossuet, Alice
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Dissertation
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High frequency attenuator
von
Bossuet Alice
,
Gloria Daniel
,
Quemerais Thomas
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Patent
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HIGH FREQUENCY ATTENUATOR
von
GLORIA DANIEL
,
BOSSUET ALICE
,
QUEMERAIS THOMAS
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Patent
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5
FR3029717
von
GLORIA DANIEL
,
BOSSUET ALICE
,
QUEMERAIS THOMAS
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