Suchergebnisse - Borland, John Ogawa | OPAC THWS

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A Historical Review of Selective Epitaxial Growth: From 1962 to Present von Borland, John Ogawa

Veröffentlicht in IEEE electron devices magazine (Print)

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Artikel

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2

Process Variability Reduction for Gate Doping and USJs von John Ogawa Borland

Veröffentlicht in Semiconductor International

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3

Triple well applications profit from MeV implant technology von John Ogawa Borland

Veröffentlicht in Semiconductor international

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4

Strategies for high energy ion implant von Kawski, J.L., Borland, J.O., O'Connor, J.P.

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Tagungsbericht

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5

LOW TEMPERATURE SILICON EPITAXY FOR NOVEL DEVICE STRUCTURES von Borland, John Ogawa

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Buchkapitel

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