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Vertical InAs Nanowire Wrap Gate Transistors with ft > 7 GHz and fmax > 20 GHz
Veröffentlicht in Nano letters
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Measurements of light absorption efficiency in InSb nanowires
Veröffentlicht in Structural dynamics (Melville, N.Y.)
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High-Current GaSb/InAs(Sb) Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Vertical InAs Nanowire Wrap Gate Transistors with f t > 7 GHz and f max > 20 GHz
Veröffentlicht in Nano letters
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High-Performance InAs Nanowire MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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hbox\hbox\hbox RTD-MOSFET Millimeter-Wave Wavelet Generator
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Interface composition of InAs nanowires with Al 2 O 3 and HfO 2 thin films
Veröffentlicht in Applied physics letters
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