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Suchergebnisse - Bontzios, Y. I.
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A Nondestructive Method for Accurately Extracting Substrate Parameters of Arbitrary Doping Profile in Nanoscale VLSI
von
Bontzios, Y. I.
,
Dimopoulos, M. G.
,
Hatzopoulos, A. A.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on instrumentation and measurement
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A universal model for calculating capacitive and resistive coupling on lightly and heavily doped CMOS processes
von
Bontzios, Y I
,
Hatzopoulos, A
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Automated substrate resistance extraction in nanoscale VLSI by exploiting a geometry-based analytical model
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Bontzios, Y. I.
,
Dimopoulos, M. G.
,
Hatzopoulos, A. A.
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Closed-form expressions for the coupling capacitance computation between through silicon vias and interconnects for 3D ICs
von
Bontzios, Y. I.
,
Dimopoulos, M. G.
,
Hatzopoulos, A. A.
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A memetic algorithm for computing 3D capacitance in multiconductor VLSI circuits
von
Bontzios, Y I
,
Dimopoulos, M G
,
Hatzopoulos, A A
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Exact closed-form expressions for substrate resistance and capacitance extraction in nanoscale VLSI
von
Bontzios, Y. I.
,
Dimopoulos, M. G.
,
Hatzopoulos, A. A.
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