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Buried Power Rail Integration With FinFETs for Ultimate CMOS Scaling von Gupta, Anshul, Pedreira, Olalla Varela, Arutchelvan, Goutham, Zahedmanesh, Houman, Devriendt, Katia, Mertens, Hans, Tao, Zheng, Ritzenthaler, Romain, Wang, Shouhua, Radisic, Dunja, Kenis, Karine, Teugels, Lieve, Sebai, Farid, Lorant, Christophe, Jourdan, Nicolas, Chan, Boon Teik, Subramanian, Sujith, Schleicher, Filip, Hopf, Toby, Peter, Antony Premkumar, Rassoul, Nouredine, Debruyn, Haroen, Demonie, Ingrid, Siew, Yong Kong, Chiarella, Thomas, Briggs, Basoene, Zhou, Xiuju, Rosseel, Erik, De Keersgieter, An, Capogreco, Elena, Litta, Eugenio Dentoni, Boccardi, Guillaume, Baudot, Sylvain, Mannaert, Geert, Bontemps, Noemie, Sepulveda, A., Mertens, Sofie, Kim, Min-Soo, Dupuy, Emmanuel, Vandersmissen, Kevin, Paolillo, Sara, Yakimets, Dmitry, Chehab, Bilal, Favia, Paola, Drijbooms, Christel, Cousserier, Joris, Jaysankar, Manoj, Lazzarino, Frederic, Morin, Pierre, Altamirano, Efrain, Mitard, Jerome, Wilson, Christopher J., Holsteyns, Frank, Boemmels, Juergen, Demuynck, Steven, Tokei, Zsolt, Horiguchi, Naoto
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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