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Ge-on-GaAs film resistance thermometers for cryogenic applications
Veröffentlicht in Cryogenics (Guildford)
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Microwave p-i-n diodes and switches based on 4H-SiC
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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The mechanism of contact-resistance formation on lapped n-Si surfaces
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Features of the Formation of Ohmic Contacts to n+-InN
Veröffentlicht in Ukrainian journal of physics (Kiev)
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