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    Amphoteric properties of substitutional carbon impurity in GaN and AlN

    Amphoteric properties of substitutional carbon impurity in GaN and AlN von Bogusl/awski, P., Briggs, E. L., Bernholc, J.

    Veröffentlicht in Applied physics letters

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    Native defects in gallium nitride

    Native defects in gallium nitride von Boguslawski, P, Briggs, EL, Bernholc, J


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    Excess elastic energy and the instability of bulk and epitaxial lattice-mismatched monolayer (001) superlattices

    Excess elastic energy and the instability of bulk and epitaxial lattice-mismatched monolayer (001) superlattices von Boguslawski, P, Baldereschi, A


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