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1.9-kV AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diodes on Silicon
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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InAlN/AlN/GaN HEMTs With Regrown Ohmic Contacts and f of 370 GHz
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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High breakdown single-crystal GaN p-n diodes by molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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