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    Deposition rate in modulated radio-frequency silane plasmas

    Deposition rate in modulated radio-frequency silane plasmas von Biebericher, A. C. W., Bezemer, J., van der Weg, W. F., Goedheer, W. J.

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    Gas-efficient deposition of device-quality hydrogenated amorphous silicon using low gas flows and power modulated radio-frequency discharges

    Gas-efficient deposition of device-quality hydrogenated amorphous silicon using low gas flows and power modulated radio-frequency discharges von Biebericher, A. C. W., van der Weg, W. F., Rath, J. K., Akdim, M. R., Goedheer, W. J.


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  3. 3
    Mechanism of argon treatment on a growing surface in layer-by-layer deposition of hydrogenated amorphous silicon

    Mechanism of argon treatment on a growing surface in layer-by-layer deposition of hydrogenated amorphous silicon von BIEBERICHER, A. C. W, VAN DER WEG, W. F, GOEDHEER, W. J, RATH, J. K


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    Microwave PECVD of micro-crystalline silicon

    Microwave PECVD of micro-crystalline silicon von Soppe, W., Devilee, C., Biebericher, A., Schiermeier, S., Donker, H., Rath, J.K.


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