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    Effect of proton irradiation induced localized defect clusters on recovery time and leakage current in silicon photoconductive semiconductor switches

    Effect of proton irradiation induced localized defect clusters on recovery time and leakage current in silicon photoconductive semiconductor switches von Bhamidipati, John Keerthi Paul, Bhattarai, Gyanendra, Caruso, Anthony Nicholaus

    Veröffentlicht in AIP advances

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