-
1
-
2
Band structures of AlAs, GaP, and SiGe alloys: A 30 k × p model
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
3
-
4
Band parameters of AlAs, Ge and Si in the 34-band k p model
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
VolltextArtikel -
5
Effective Landé factor g ∗ of conduction electrons in GaAs and AlSb
Veröffentlicht in Solid state communications
VolltextArtikel -
6
Effective Landé factor of conduction electrons in GaAs and AlSb
Veröffentlicht in Solid state communications
VolltextArtikel -
7