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A 90 nm 1.8 V 512 Mb Diode-Switch PRAM With 266 MB/s Read Throughput
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Npas4-mediated dopaminergic regulation of safety memory consolidation
Veröffentlicht in Cell reports (Cambridge)
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Amorphous-to-crystalline phase transition of ( InTe ) x ( GeTe ) thin films
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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