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Low-leakage n- and p-channel Silicon-gate FET's with an SiO 2 -Si 3 N 4 -gate insulator
von
Dockerty, R.C.
,
Abbas, S.A.
,
Barile, C.A.
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IEEE transactions on electron devices
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Low-leakage n- and p-channel Silicon-gate FET's with an SiO2-Si3N4-gate insulator
von
Dockerty, R.C.
,
Abbas, S.A.
,
Barile, C.A.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on electron devices
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3
PROCEDE DE STABILISATION DES DISPOSITIFS A TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP COMPRENANT DES PORTES DE SILICIUM ET DES DIELECTRIQUES DE PORTES NITRURE-OXYDE COMPOSITES
von
R.C. DOCKERTY
,
A. NAGARAJAN
,
C.A. BARILE
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Patent
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4
COMBINED ION IMPLANTATION AND DIFFUSION
von
J. REGH
,
C.A. BARILE
,
J.L. FORNERIS
,
R.M. BRILL
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Patent
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5
PROCEDE DE FORMATION D'UNE REGION DE CIRCUIT INTEGRE PAR LA COMBINAISON D'ETAPES D'IMPLANTATION IONIQUE ET DE DIFFUSION
von
J. REGH
,
C.A. BARILE
,
J.L. FORNERIS
,
R.M. BRILL
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Patent
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