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Effective mass and intrinsic concentration in silicon
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Polarity effects in III–V semiconducting compounds
Veröffentlicht in The Journal of physics and chemistry of solids
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Polarity effects in III–V semiconducting compounds
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Abrupt p- n junctions at arbitrary injection levels
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Subsurface junction field effect transistor
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Polycrystalline silicon resistors for integrated circuits
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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A technique for making alloy p-n junctions in InSb
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The solubility of indium antimonide in tin
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Stochastic strength of nanotubes: An appraisal of available data
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Crack deflection at a transcrystalline junction
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