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IIIB-7 low barrier height Schottky diode for microwave mixer using super thin Si MBE film
von
Ballamy, W.C.
,
Ota, Y.
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IEEE transactions on electron devices
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Planar isolated GaAs devices produced by molecular beam epitaxy
von
Ballamy, W.C.
,
Cho, A.Y.
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IEEE transactions on electron devices
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Premature failure in Pt-GaAs IMPATT's-Recombination-assisted diffusion as a failure mechanism
von
Ballamy, W.C.
,
Kimerling, L.C.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on electron devices
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Hafnium tantalum nitride resistive sea for the silicon diode-array camera tube target
von
Ballamy, W.C.
,
Knolle, W.R.
,
Locker, L.D.
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IEEE transactions on electron devices
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