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Acceleration factors for thin oxide breakdown
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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Reduced hot-electron effects in MOSFET's with an optimized LDD Structure
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Improvement in very thin gate oxide integrity by ion implantation
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Lightly doped drain transistors for advanced VLSI circuits
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Scaled LOCOS processes with reduced narrow width effects
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Comments on "Source-and-drain series resistance of LDD MOSFET's"
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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A new mission: Mainstreaming climate adaptation in the US Department of Defense
Veröffentlicht in Climate services
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Thickness and field dependence of defects in silicon dioxide
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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