-
1
-
2
-
3
-
4
Acceleration factors for thin oxide breakdown
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
VolltextArtikel -
5
Reduced hot-electron effects in MOSFET's with an optimized LDD Structure
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
6
-
7
Improvement in very thin gate oxide integrity by ion implantation
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
8
Lightly doped drain transistors for advanced VLSI circuits
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
9
Comments on "Source-and-drain series resistance of LDD MOSFET's"
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
10
-
11
Thickness and field dependence of defects in silicon dioxide
Veröffentlicht in Solid-state electronics
VolltextArtikel -
12
Scaled LOCOS processes with reduced narrow width effects
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
VolltextArtikel -
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
A new mission: Mainstreaming climate adaptation in the US Department of Defense
Veröffentlicht in Climate services
VolltextArtikel