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Analysis and application of a viscoelastic model for silicon oxidation
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Modeling high-concentration boron diffusion under amorphization conditions
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Modelling inactive boron during predeposition processes
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Impact of low-temperature transient-enhanced diffusion of dopants in silicon
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Mechanical stress analysis of an LDD MOSFET structure
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Interactions between dopants and point defects during nitridation processes
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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A study of the electrical performances of isolation structures
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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