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SCHOTTKY DIODE - COMMENTS CONCERNING THE DIODE PARAMETERS DETERMINATION FROM THE FORWARD IV PLOT
von
Manifacier, J.-C.
,
Brortryb, N.
,
Ardebili, R.
,
Charles, J.-P.
Veröffentlicht in
Journal of applied physics
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Artikel
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2
Schottky diode: comments concerning the diode parameters determination from the forward I-V plot
von
MANIFACIER, J.-C
,
BRORTRYB, N
,
ARDEBILI, R
,
CHARLES, J.-P
Veröffentlicht in
Journal of applied physics
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Artikel
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3
A group theory approach in the analysis of temperature symmetry in semiconducting junction devices
von
Ocaya, Richard O.
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Tagungsbericht
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4
Effect of series resistance on the forward current-voltage characteristics of Schottky diodes in the presence of interfacial layer
von
Ayyildiz, Enise
,
Türüt, Abdulmecit
,
Efeoğlu, Hasan
,
Tüzemen, Sebahattin
,
Sağlam, Mustafa
,
Yoğurtçu, Y.Kemal
Veröffentlicht in
Solid-state electronics
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Artikel
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5
Effect of Schottky-ohmic separation length on the ac properties of planar Schottky barrier diode
von
Banerjee, Abhijit
,
Chattopadhyay, Projnan
Veröffentlicht in
European physical journal. Applied physics
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Bacon Edp Sciences France Licence Nationale-Istex-Ps-Journals-Pfistex
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Proquest Central
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