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Semiconductor structure sensitive to pressure
von
LUKICHEVA
,
NATALYA I
,
SOKURENKO
,
JURY V
,
MYASOEDOV
,
VIKTOR V
,
KISTOVA
,
ELENA M
,
JUROVA
,
ELENA S
,
SINITSYN
,
EVGENY V
,
MASLOV
,
VADIM N
,
KOROBOV
,
OLEG E
,
BRONSHTEIN
,
IZIDOR K
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Fabrication of a heterogeneous semiconductor structure with composition gradient utilizing a gas phase transfer process
von
JUROVA, ELENA S
,
BOCHKAREV, ELLIN P
,
SINITSYN, EVGENY V
,
KONSTANTINOVA, MARINA A
,
KOROBOV, OLEG E
,
KISTOVA, ELENA M
,
SOKURENKO, JURY V
,
BRONSHTEIN, IZIDOR K
,
LUKICHEVA, NATALYA I
,
LUPACHEVA, ALLA N
,
SAMAGINOV, VENIAMIN M
,
MASLOV, VADIM N
,
GIMELFARB, FELIX A
,
MYASOEDOV, VIKTOR V
,
VLASOV, ALEXANDR N
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Patent
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Basic Electric Elements
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Electricity
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Measuring
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Measuring Force, Stress, Torque, Work, Mechanical Power,Mechanical Efficiency, Or Fluid Pressure
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Physics
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Semiconductor Devices
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After-Treatment Of Single Crystals Or A Homogeneouspolycrystalline Material With Defined Structure
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Apparatus Therefor
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Chemistry
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Crystal Growth
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Devices Using Stimulated Emission
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General Tagging Of Cross-Sectional Technologies Spanning Over Several Sections Of The Ipc
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General Tagging Of New Technological Developments
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Investigating Or Analysing Materials By Determining Theirchemical Or Physical Properties
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Metallurgy
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1
Production Of A Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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1
Refining By Zone-Melting Of Material
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1
Single Crystals Or Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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1
Erscheinungsjahr
Von:
Bis:
Quelle
Esp@Cenet
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