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METHOD FOR PRODUCING A NON-POLAR A-PLANE GALLIUM NITRIDE (GAN) THIN FILM ON AN R-PLANE SAPPHIRE SUBSTRATE
von
Mohd Adreen Shah bin Azman Shah
,
Ahmad Shuhaimi bin Abu Bakar
,
Anas bin Kamarundzaman
,
Omar Ayad Fadhil Al-Zuhairi
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METHOD FOR GROWING A NON-POLAR A-PLANE GALLIUM NITRIDE USING ALUMINUM NITRIDE / GALLIUM NITRIDE SUPERLATTICES
von
BIN KAMARUNDZAMAN, Anas
,
BIN AZMAN SHAH, Mohd Adreen Shah
,
BIN ABU BAKAR, Ahmad Shuhaimi
,
AL- ZUHAIRI, Omar Ayad Fadhil
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METHOD FOR GROWING A SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL LAYER USING ALUMINUM NITRIDE / GALLIUM NITRIDE SUPERLATTICES
von
BIN AZMAN SHAH, Mohd Adreen Shah
,
BIN KAMARUNDZAMAN, Anas
,
BIN ABU BAKAR, Ahmad Shuhaimi
,
AHMAD MAKINUDIN, Abdullah Haaziq
,
AL- ZUHAIRI, Omar Ayad Fadhil
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A METHOD FOR GROWING A SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL LAYER USING ALUMINUM NITRIDE / GALLIUM NITRIDE SUPERLATTICES
von
BIN AZMAN SHAH, Mohd Adreen Shah
,
BIN KAMARUNDZAMAN, Anas
,
BIN ABU BAKAR, Ahmad Shuhaimi
,
AHMAD MAKINUDIN, Abdullah Haaziq
,
AL- ZUHAIRI, Omar Ayad Fadhil
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A METHOD FOR GROWING A NON-POLAR A-PLANE GALLIUM NITRIDE USING ALUMINUM NITRIDE / GALLIUM NITRIDE SUPERLATTICES
von
BIN KAMARUNDZAMAN, Anas
,
BIN AZMAN SHAH, Mohd Adreen Shah
,
BIN ABU BAKAR, Ahmad Shuhaimi
,
AL- ZUHAIRI, Omar Ayad Fadhil
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Patent
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METHOD FOR PRODUCING A NON-POLAR A-PLANE GALLIUM NITRIDE (GAN) THIN FILM ON AN R-PLANE SAPPHIRE SUBSTRATE
von
BIN AZMAN SHAH, Mohd Adreen Shah
,
BIN KAMARUNDZAMAN, Anas
,
BIN ABU BAKAR, Ahmad Shuhaimi
,
AL-ZUHAIRI, Omar Ayad Fadhil
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Patent
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7
Effect of low NH3 flux towards high quality semi-polar (11-22) GaN on m-plane sapphire via MOCVD
von
Omar, Al-Zuhairi
,
Shuhaimi Bin Abu Bakar, Ahmad
,
Makinudin, Abdullah Haaziq Ahmad
,
Khudus, Muhammad Imran Mustafa Abdul
,
Azman, Adreen
,
Kamarundzaman, Anas
,
Supangat, Azzuliani
Veröffentlicht in
Superlattices and microstructures
Volltext
Artikel
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8
Positioning of periodic AlN/GaN multilayers: Effect on crystalline quality of a-plane GaN
von
Kamarudzaman, Anas
,
Abu Bakar, Ahmad Shuhaimi Bin
,
Azman, Adreen
,
Omar, Al-Zuhairi
,
Supangat, Azzuliani
,
Talik, Noor Azrina
Veröffentlicht in
Materials science in semiconductor processing
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Artikel
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After-Treatment Of Single Crystals Or A Homogeneouspolycrystalline Material With Defined Structure
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